特許
J-GLOBAL ID：200903062884765774
被加熱掃去面を備えるプラズマエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246240
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183283
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 壁温を高くしてエッチング速度を高めることにより、フッ素を掃去し、かつ、無酸化物下層よりも酸化膜へのエッチング選択性を高める。【構成】 プラズマエッチング反応装置の操作方法として具体化され、この方法は、反応装置内の加工物上の酸化膜をエッチングするエッチング種と、このエッチング種と特定蒸着温度より低い温度で結合して、加工物上の凝縮可能のエッチング防止性ポリマーとなり得る非エッチング種とにプラズマとして解離するガスを反応装置に導入し、エッチング種を掃去する材料を含む内壁を提供し、この内壁の温度を上記蒸着温度より高く維持することから構成される。
請求項（抜粋）：
プラズマエッチング反応装置の操作方法において、反応装置内の加工物上の酸化膜をエッチングするエッチング種と、このエッチング種と特定蒸着温度より低い温度で結合して、前記加工物上の凝縮可能のエッチング防止性ポリマーとなり得る非エッチング種とにプラズマとして解離するガスを前記反応装置に導入する工程と、前記エッチング種を掃去する(scavenges) 材料を含む内壁を提供する工程と、前記内壁の温度を前記蒸着温度より高く維持する工程と、を備える方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 F
