半導体チップ認識方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-276812
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121476
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】ダイボンド工程における半導体チップの良、不良の認識に要する時間を短縮し、ダイボンド工程の作業効率を向上させることのできる半導体チップ認識方法を提供する。【解決手段】特性検査において良品と判定された半導体チップのウェハーにおける位置を記憶媒体に記憶させておき、ダイボンド工程では記憶媒体に記憶されている位置に半導体チップが有るかどうかを検出し(n11、n12)、その位置に半導体チップ1があれば該半導体チップを良品と認識する(n13)。

請求項（抜粋）：

ダイボンド工程の前にウェハー単位で行われる特性検査で判定した良品または不良品の半導体チップのウェハーにおける位置を記憶媒体に記憶し、ダイボンド工程では、セットされた半導体チップのウェハーにおける位置および前記記憶媒体に記憶されているデータに基づいて該半導体チップが良品であるかどうかを認識することを特徴とする半導体チップ認識方法。

IPC (2件)：

H01L 21/52 , H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/52 C , H01L 21/68 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭53-104168
特開昭61-218138
特開平3-161942

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