特許

J-GLOBAL ID：200903062886709162

半導体メモリ素子

発明者： 佐藤 和恭 ,  渡辺 道弘 ,  清野 太作
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305470
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148532
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】半導体メモリ素子に用いる電荷蓄積用のコンデンサの面積を低減し、書き換え可能回数を向上させる。【解決手段】半導体メモリ素子に用いる電荷蓄積用のコンデンサ60用絶縁膜6として、ランタンの原子%Xとジルコニウム酸鉛のモル%Yが、5≦Y≦65、かつ、-4.7X+108.5≦Y≦-4.7X+132.0という関係を有するランタン,チタン酸鉛、及びジルコニウム酸鉛からなる化合物、もしくは、X≧5かつY≧45かつY≦-4.7X+108.5という関係を有するランタン,チタン酸鉛、及びジルコニウム酸鉛からなる化合物を用いる。

請求項（抜粋）：

導電型の領域を有する半導体基板上に、酸化シリコンからなる絶縁膜と前記絶縁膜上に形成された導電膜と、前記導電膜上に形成されたランタン,チタン酸鉛、及びジルコニウム酸鉛の化合物からなる絶縁膜と、前記ランタン,チタン酸鉛、及びジルコニウム酸鉛の化合物からなる絶縁膜上に形成された導電膜とを有し、前記ランタン,チタン酸鉛、及びジルコニウム酸鉛からなる化合物の、ランタンの原子%Xとジルコニウム酸鉛のモル%Yが、5≦Y≦65かつ-4.7X+108.5≦Y≦-4.7X+132.0 の関係を有することを特徴とする半導体メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 441 ,  H01L 27/04 C