特許
J-GLOBAL ID：200903062893314050
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280012
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006680
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 高電圧スイッチおよびカラムラッチのレイアウトの困難性を解消し、ページモード書込機能を備えつつ高集積化に適したEEPROMを得ることである。【構成】 各ビット線に接続されるカラムラッチおよび高電圧スイッチを排除し、アドレスカウンタ26およびデータラッチ27を新たに設ける。データラッチ27はI/Oバッファ19とYゲート18との間に配置される。プログラムサイクル時に、アドレスカウンタ26が活性化され、Yゲート18内のトランスファーゲートG1〜Gmが順次選択される。それにより、データラッチ27に記憶された書込データに従ってメモリセルアレイ11内のビット線に周期的に高電圧Vppまたは0Vが印加される。
請求項（抜粋）：
電気的に複数バイトを一括してプログラム/消去可能な不揮発性半導体記憶装置であって、複数のビット線と、前記複数のビット線に接続される複数のメモリセルと、外部から与えられる書込データを入力する入力バッファ手段と、前記入力バッファ手段により入力された書込データを保持するデータ保持手段と、前記データ保持手段に保持された書込データに従って書込電圧を発生する書込電圧発生手段と、プログラム時に、前記複数のビット線の各々を周期的に繰り返し選択し、選択されたビット線を前記書込電圧発生手段に接続する選択手段とを備えた、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/02
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 307 B
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
