特許

J-GLOBAL ID：200903062895753930

SiO2ブランク製造方法とその装置

発明者： ハインツ ファビアン
出願人/特許権者： ヘライオステネフォーアーゲー
代理人 (1件)： 楠本 高義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-343448
公開番号（公開出願番号）：特開2002-187724
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 特に軸方向に均一な所定の質量と密度分布を有する簡便で安価なブランクを製造する方法および装置を提供することを目的とする。【解決手段】 バーナーの炎(8)に備えられている基板(1)の析出面(12、21)の幾何学的パラメータを用いて、電界(9)の作用により、バーナーの炎の形状が調節されるブランクを製造する方法を提供する。また、SiO2 ブランクの製造方法を実行するのに適している装置は、基板と、析出バーナーに設けられたバーナーの炎の中でSiO2 粒子を製造する少なくとも1つの析出バーナーと、SiO2 ブランクの析出面の領域内の幾何学的パラメータを検知する計測装置と、バーナーの炎の領域内で作用する電界(9)を生成する電圧源に接続された一対の電極とで構成されていて、バーナーの炎(8)に割り当てられている基板の析出面(12,21)の幾何学的パラメータによって調節できる。

請求項（抜粋）：

デポジションバーナーのバーナ-炎の中でSiO2粒子を生成し、電界の作用の下に基板の析出面に該SiO2粒子を析出させることにより、SiO2ブランクを製造する方法であって、前記バーナー炎の形状が、析出面の幾何学的パラメータによって前記電界の作用により調整されることを特徴とする、SiO2ブランク製造方法。

FI (3件)：

C03B 8/04 Q ,  C03B 8/04 C ,  C03B 8/04 J

Fターム (1件)：

4G014AH15