特許

J-GLOBAL ID：200903062895856003

シリコン単結晶ウエーハの製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ

発明者： 玉塚 正郎 ,  小林 徳弘 ,  秋山 昌次 ,  篠宮 勝
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999004651
公開番号（公開出願番号）：WO2000-012786
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月09日
要約：

【要約】CZ法によって作製されるシリコン単結晶ウエーハ表層部のGrown-in欠陥を効果的に低減あるいは消滅し、高品質の半導体デバイス用シリコン単結晶ウエーハを高生産性で得る。本発明は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてウエーハに加工し、該ウエーハに非酸化性雰囲気下で1100〜1300°Cの温度の熱処理を1分以上加えた後、700°C未満の温度に冷却することなく連続して酸化性雰囲気下で700〜1300°Cの温度の熱処理を1分以上加えるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。また、本発明は、表面から少なくとも深さ5μmまでの表層部において、大きさが0.09μm以上のCOP密度が1.3ケ/cm2以下であり、前記表層部を除くバルク部において、大きさが0.09μm以上のCOP密度が前記表層部のCOP密度よりも大きいCZシリコン単結晶ウエーハである。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてウエーハに加工し、該ウエーハに非酸化性雰囲気下で1100〜1300°Cの温度の熱処理を1分以上加えた後、700°C未満の温度に冷却することなく連続して酸化性雰囲気下で700〜1300°Cの温度の熱処理を1分以上加えることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

C30B 29/06 C ,  H01L 21/324 W