特許

J-GLOBAL ID：200903062898652670

半導体装置の製造方法

発明者： 山縣 秀夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-133531
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323420
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 スループットを低下させずに、不純物プロファイルが高精度に制御された層を複数のウエハに対して繰り返し形成する。【解決手段】 ガス供給管から反応室内への原料ガスの供給量を制御しながら、深さ方向のゲルマニウム濃度及び不純物濃度を変化させた層(SiGe層)をこの反応室内に収納されたウエハ上に形成する際、反応室内に第1のウエハを搬入し(S1)、第1のウエハ上にSiGe層を形成する(S2)。その後、第1のウエハを反応室内から搬出する(S3)と共に、前記ガス供給管内の原料ガスを真空排気し(S4)、さらに反応室内をクリーニングし(S5)て第1のウエハと入れ替えに反応室内に第2のウエハを搬入する(S1)。次に、第2のウエハ上にSiGe層を形成する(S2)する。

請求項（抜粋）：

ガス供給管から反応室内への原料ガスの供給量を制御しながら、深さ方向に含有物濃度を変化させた層を前記反応室内に収納されたウエハ上に形成する半導体装置の製造方法において、第1のウエハ上に前記層を形成した後、前記ガス供給管内の原料ガスを真空排気し、次いで前記第1のウエハと入れ替えに前記反応室内に収納された第2のウエハ上に前記層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/165 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/72

Fターム (21件)：

5F003BB04 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F045AA03 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045BB04 ,  5F045CA02 ,  5F045DA58 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EB11 ,  5F045EE04 ,  5F045EK11