特許

J-GLOBAL ID：200903062906916020

半導体装置の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器

発明者： 神戸 貞男
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-182148
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031458
出願日： 2002年06月21日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】有機半導体材料を溶媒に溶解させた液体を、配向処理された面に塗布することにより、所定の分子配向を有する有機半導体層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記液体の塗膜を加熱しなくても、所定の分子配向を有する有機半導体層を形成できる方法を提供する。【解決手段】基板1の上面をソース電極3からドレイン電極4に向けて擦るラビング処理を行った後、低分子液晶からなる溶媒に高分子液晶からなる有機半導体材料を溶解させた溶液を塗布して溶媒を除去する。低分子液晶の分子が、常温でラビング処理による下地(基板面)の配向に沿って配向するため、高分子液晶の分子も、常温で、この配向に従って配向する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

有機半導体材料を溶媒に溶解させた液状材料を基板に塗布する工程と、 前記溶媒を除去する工程と、を含み、 前記溶媒として液晶性材料を用いること、 を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (12件)：

H01L51/00 ,  C09K19/12 ,  C09K19/30 ,  C09K19/32 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (12件)：

H01L29/28 ,  C09K19/12 ,  C09K19/30 ,  C09K19/32 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G09F9/00 338 ,  G09F9/30 338 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B

Fターム (54件)：

2H092JA24 ,  2H092KA09 ,  2H092KA13 ,  2H092KA20 ,  2H092KB15 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA02 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4H027BC05 ,  4H027CD04 ,  4H027CM04 ,  4H027DM01 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA06 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF21 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ06 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435HH13 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 溶液に影響される整列
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-513059   出願人：プラスティックロジックリミテッド
• 有機半導体材料、有機半導体構造物、および、有機半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-085930   出願人：大日本印刷株式会社