薄膜トランジスタアレイ基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：煤孫耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163360
公開番号（公開出願番号）：特開平6-347831
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタアレイに付加される蓄積容量の容量値のバラツキを低減し、均一なアレイ特性を与える。【構成】ゲートメタルによって下部電極、ドレイン・ソースメタルによって上部電極、ゲート絶縁膜を誘電体として、蓄積容量を形成している薄膜トランジスタアレイ基板。

請求項（抜粋）：

蓄積容量を有する薄膜トランジスタアレイ基板において、ゲートメタルを下部電極、ドレイン・ソースメタルを上部電極とし、ゲート絶縁膜を誘電体として、形成された蓄積容量を有することを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

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