特許
J-GLOBAL ID：200903062912015751
バンプ電極を有する回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069188
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283225
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 バリヤメタルとしてチタン膜を用いその上に銅メッキ層を形成したバンプ電極構造において、その接合強度および耐久強度を共に良好にする。【構成】 回路基板1上に被接続電極をなすアルミ電極3を形成し、その上に開口部を有する絶縁膜4を形成する。その上にバリヤメタルとしてのチタン膜5を形成するとともに、第1、第2の銅メッキ層7、8、半田9を順次形成する。第1の銅メッキ層7をポリエチレングリコール系の光沢剤を含んで形成することによりチタン膜5との間での接合強度を良好にし、第2の銅メッキ層8をそのような光沢剤を実質的に含まないものを用いて形成することにより半田9との耐久強度を良好にする。
請求項（抜粋）：
回路基板上に形成された被接続電極と、前記被接続電極上に形成されたチタン膜からなるバリヤメタルと、このバリヤメタル上に形成されるバンプ電極とを備え、前記バンプ電極は、前記バリヤメタル上に形成される銅メッキ層と、該銅メッキ層の上に形成される半田とを有するものであって、さらに前記銅メッキ層を、前記バリヤメタルの上に形成され光沢剤を含む第1の銅メッキ層と、前記半田に接して形成され前記光沢剤を実質的に含まない第2の銅メッキ層とから構成したことを特徴とするバンプ電極を有する回路基板。
FI (2件)：
H01L 21/92 D
, H01L 21/92 C
