特許

J-GLOBAL ID：200903062914255725

エアギャップを有するSTI構造体の製造方法

発明者： ヴィクター・セン・ケオン・リム ,  ヤング-ウェイ・テー ,  ティン-チェオン・アン ,  アレックス・シー ,  ヨン・コン・シュー
出願人/特許権者： チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-346132
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203896
出願日： 2001年11月12日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】有機系フィラー材料をキャップ層を通じて分解することにより形成されるエアギャップを有した浅いトレンチの独立構造体(STI)の製造方法を提供する。【解決手段】基板上にパッド層20及びバリア層30を形成し、これらパッド層20等をトレンチ開口部を形成するようにパターン化し、トレンチ開口部を通じてエッチング処理し、基板10にトレンチ12を形成する。トレンチ12の側壁に第一のライナー層32を形成し、バリア層30及び第一のライナー層32上に第二のライナー層34を形成する。第二のライナー層34上にフィラー材料を形成し、これらの層34、材料上にキャップ層50を堆積させ、フィラー材料にプラズマを作用させて蒸発するように加熱し、キャップ層50を通じて拡散させてエアギャップ60を形成する。キャップ層50上に絶縁層70を堆積させ、該絶縁層70を平坦化し、バリア層30を除去する。

請求項（抜粋）：

エアギャップを有するSTI構造体の製造方法において、a)基板上にパッド層及びバリア層を形成するステップと、b)トレンチ開口部を形成し得るよう前記パッド層及び前記バリア層をパターン化するステップと、c)前記トレンチ開口部を通じてエッチング処理することにより基板に側壁を有したトレンチを形成するステップと、d)前記トレンチの前記側壁にライナー層を形成するステップと、e)前記ライナー層よりも低温度にて蒸発可能であるフィラー材料を前記ライナー層に形成した前記トレンチを充填するステップと、f)酸素プラズマを使用して前記フィラー材料をエッチバック処理するステップと、g)前記フィラー材料及び前記ライナー層上にキャップ層を堆積させるステップと、h)前記フィラー材料が前記キャップ層を通じて拡散しエアギャップを形成し得るよう前記フィラー材料を蒸発させるべく該フィラー材料を加熱するステップと、i)前記キャップ層上に絶縁層を形成するステップとを備える、STI構造体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/764 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/76 A ,  H01L 21/76 L

Fターム (9件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA50 ,  5F032AC02 ,  5F032BB01 ,  5F032DA04 ,  5F032DA07 ,  5F032DA10 ,  5F032DA22