半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-388661
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190595
出願日： 2000年12月21日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】トレンチゲート型のIGBTで、耐圧の向上を図りつつ電流能力の向上も図る。【解決手段】半導体基板22(高濃度p型基板23に高濃度n型エピタキシャル層24,低濃度n型エピタキシャル層25を有する)にp型チャネル層26を形成し、トレンチ29を浅く形成する。チャネル層26の最も深い接合深さaよりもトレンチ29の深さ寸法bを浅く形成し、トレンチ29は側面でチャネル層26のpn接合と接するように形成する。チャネル層26には高濃度n型領域27及び高濃度p型領域28が形成され、コンタクト孔33を通じて電極34a,34bが形成されている。一方の電極34aは通電端子として用い、他方の電極34bは浮遊状態とする。これにより、トレンチ29底部での電界集中を緩和して耐圧の向上が図れ、浮遊状態の領域を設けることで電流能力の向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面層に第1導電型層を有する半導体基板と、この半導体基板の表面層中に島状に形成された島状第2導電型領域と、前記島状第2導電型領域内に前記半導体基板の不純物濃度よりも高不純物濃度に形成された高濃度第1導電型領域と、前記高濃度第1導電型領域の表面から前記島状第2導電型領域を貫通するように形成された溝と、前記溝の内部に絶縁層を介して形成された多結晶シリコン領域と、前記島状第2導電型領域内の前記高濃度第1導電型領域が形成されていない領域に形成され前記島状第2導電型領域の不純物濃度より高濃度に設定された高濃度第2導電型領域と、前記高濃度第1導電型領域と前記高濃度第2導電型領域とを共に接続するように形成された電極形成用のコンタクト孔とを具備し、前記溝は、前記島状第2導電型領域の前記半導体基板との間のpn接合面のうちの最も深い部分よりも浅く形成されたpn接合深さの部分と接すると共に、最も深い部分のpn接合深さ寸法と同じもしくはそれよりも浅い深さ寸法に溝形状が形成され、前記コンタクト孔を介して形成する電極を、前記溝の両側に位置する一方を外部と電気的に導通させ、他方を電気的に浮遊状態となるように構成したところに特徴を有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 655 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 658 G

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-164533 出願人：日産自動車株式会社
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-057641 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-072422 出願人：株式会社東芝

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