特許
J-GLOBAL ID：200903062935396701
半導体素子のボンデイング方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 孝治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-203946
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029364
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子を基板にボンディングするための導電性接着ペーストが半導体素子の間に押し寄せられて発光部等に付着することがなく、しかも半導体素子を高精度でボンディングすることができる半導体素子のボンディング方法及び装置とする。【構成】 移動機構はコレット300 に保持された半導体素子100Bの下面110Bが既にボンディングされた半導体素子100Aの上面110Aより下方、かつ基板200 に接触しない範囲まで上下方向に動かした後に、既にボンディングされた半導体素子100Aとの間が所定の間隔になるまで水平方向に動かし、その後に半導体素子100Bが基板200 にボンディングされるまで上下方向に動かし、コレット300 は保持した半導体素子100Bの少なくとも一辺がはみ出すようになっている。
請求項（抜粋）：
半導体素子を保持するコレットと半導体素子がボンディングされるべき基板とを相対的に動かして、複数の半導体素子を所定の間隔で並べる半導体素子のボンディング方法において、コレットに保持された半導体素子の下面が既にボンディングされた半導体素子の上面より下方、かつ基板に接触しない範囲まで上下方向に動かす第1上下工程と、コレットに保持された半導体素子と既にボンディングされた半導体素子との間が所定の間隔になるまで水平方向に動かす水平工程と、コレットに保持された半導体素子が基板にボンディングされるまで上下方向に動かす第2上下工程とを有することを特徴とする半導体素子のボンディング方法。
IPC (2件)：
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