特許

J-GLOBAL ID：200903062936465308

成膜方法、成膜装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 前川 和広 ,  坂井 拓哉 ,  塩谷 喜美 ,  前田 和夫
出願人/特許権者： 富士通ヴィエルエスアイ株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003022
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196365
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 低い誘電率を有し、かつ耐湿性を向上させた絶縁膜を形成することができる成膜装置を提供する。【解決手段】 減圧可能なチャンバ1と、シリコン含有ガスの供給源とボロン含有ガスの供給源とN-O結合を有する窒素含有ガスの供給源と酸素ガスの供給源とを備えた、チャンバ1と接続された成膜ガスの供給手段101Bと、チャンバ1内に導入された成膜ガスをプラズマ化する手段2、3、7、8と、被成膜基板21を保持する手段3とを有する。

請求項（抜粋）：

減圧可能なチャンバと、シリコン含有ガスの供給源とボロン含有ガスの供給源とN-O結合を有する窒素含有ガスの供給源と酸素ガスの供給源とを備えた、前記チャンバと接続された成膜ガスの供給手段と、前記チャンバ内に導入された前記成膜ガスをプラズマ化する手段と、被成膜基板を保持する手段とを有することを特徴とする成膜装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/505 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/505 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/316 X

Fターム (42件)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030FA01 ,  4K030FA02 ,  4K030KA14 ,  4K030KA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AA10 ,  5F045AB36 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045BB16 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE12 ,  5F045EH02 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20 ,  5F045HA11 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF09 ,  5F058BF23 ,  5F058BF32 ,  5F058BG02 ,  5F058BH16