特許

J-GLOBAL ID：200903062939965026

不純物拡散抑制方法、半導体への不純物選択拡散方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 村上 隆志 ,  高橋 武人
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-308935
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148454
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 NMOS、PMOSトランジスタのサイドウォールをBSG膜によって形成し、固相拡散を行うことで、PMOSソース/ドレイン結合への不純物Bの拡散と同時にNMOSソース/ドレイン結合へBを拡散し、NMOSトランジスタの特性を低下させる。【解決手段】 NMOSトランジスタのBSGサイドウォールに窒素を注入することで不純物Bの拡散を抑制する。または、BSGサイドウォールとNMOSソース/ドレイン結合の向かい合う面のNMOSソース/ドレイン結合側に窒素を注入することでサイドウォール中の不純物BがNMOSソース/ドレイン結合に拡散することを抑制する。

請求項（抜粋）：

ボロンを不純物として含む絶縁膜であるBSG(BORO-SILICATE GLASS)膜に窒素を注入する工程を含むことを特徴とする不純物拡散抑制方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 21/225 Q ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-157766
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-221462   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-280431