特許

J-GLOBAL ID：200903062947414764

半導体装置の製造方法

発明者： 黒田 英明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-348457
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204244
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 ナローチャネル効果、基板効果および接合リークを低減すること。【構成】 スレショールド電圧調整のためのイオン注入はフィールド酸化膜形成前に、フィールド酸化膜を選択形成するための耐酸化マスク(18)を介して行われる。チャンネルストップ(22)はこのイオン注入あるいは耐酸化マスク(18)をマスクとする再度のイオン注入により形成される。スレショールド電圧調整のためのイオン注入とチャンネルストップのためのイオン注入を同時に行うため、マスクプロセスが簡素化され、マスクマージョンが不要になるための集積度が向上する。また、アクティブ領域に、高ドーズ量、高エネルギーのイオン注入を行なわないため、結晶性が損なわれず、接合リークおよび基板効果が抑制される。

請求項（抜粋）：

第1導電型のシリコン基板のアクティブ領域上に耐酸化マスクを選択形成するプロセスと、シリコン基板に第1導電型の不純物をイオン注入して、アクティブ領域の不純物濃度を調整すると共にフィールド領域にチャネルストッパを形成するプロセスと、耐酸化マスクをマスクとしてシリコン基板を熱酸化してフィールド酸化膜を形成するプロセスと、ゲートを形成するプロセスと、前記ゲートおよびフィールド酸化膜をマスクとしてシリコン基板に第2導電型の不純物をイオン注入して、ドレイン領域およびソース領域を形成するプロセスとを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 Y ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 J ,  H01L 27/08 321 N