特許
J-GLOBAL ID：200903062948546184
歪センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-036437
公開番号（公開出願番号）：特開平6-249606
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】厚さが薄くて絶縁性が優れた絶縁膜を基板と抵抗体との間に設けることにより、高性能で信頼性が高くかつ量産に適した薄型の歪センサを提供する。【構成】基材上に電気絶縁体薄膜と歪感知用電気抵抗体薄膜とを積層し、更に該歪感知用電気抵抗体薄膜の電極部の上に金属薄膜電極を積層してなる歪センサにおいて、前記電気絶縁体薄膜が酸化アルミニウムと窒化アルミニウムとの複合物層と酸化珪素層との積層体膜から形成されている歪センサで、絶縁耐圧、高温絶縁性、及び不良品の発生が少ない。
請求項（抜粋）：
基材上に電気絶縁体薄膜と歪感知用電気抵抗体薄膜とを積層し、更に該歪感知用電気抵抗体薄膜の電極部の上に金属薄膜電極を積層してなる歪センサにおいて、前記電気絶縁体薄膜が酸化アルミニウムと窒化アルミニウムとの複合物層と酸化珪素層との積層体膜から形成されていることを特徴とする歪センサ。
IPC (2件)：
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