特許

J-GLOBAL ID：200903062948624096

半導体受光素子

発明者： 山下 光二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118382
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291605
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 リーク電流が極めて小さくなるとともに、リーク電流値のバラツキも小さくなるメサ型の半導体受光素子とその製造方法を提供する。【構成】 P-InP基板1上にP-InGaAs層2,n- -InGaAs光吸収層3及びn-InP窓層4を順次エピタキシャル成長にて形成し、上記P-InP基板1とこれら得られたエピタキシャル成長層2,3及び4の所定部分をウエットエッチング等を用いて除去して、メサ型の能動層(メサ部9)を形成した後、該メサ型の能動層の最上面にマスクを配設した状態でその側壁面上にP-InP層7をエピタキシャル成長によって形成し、この後、上記マスクを除去し、n側電極5をn-InP窓層4上に形成し、図示しないp側電極をP-InP基板1の裏面側に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板及び該半導体基板上に形成されたその内部にp-n接合を有する半導体エピタキシャル成長層の所定部分をエッチング除去して、これらをメサ型に成形し、該メサ型に成形された半導体基板及び半導体エピタキシャル成長層とから能動層を構成してなる半導体受光素子であって、上記メサ型能動層の側壁面に、該メサ型能動層内のp-n接合より上部側の導電型とは逆の導電型を有する半導体エピタキシャル成長層を配設したことを特徴とする半導体受光素子。