特許

J-GLOBAL ID：200903062949803091

半導体集積回路装置

発明者： 谷垣 幸男 ,  河渕 靖 ,  春田 亮 ,  加藤 登季男 ,  佐原 政司 ,  鈴樹 正恭 ,  石田 進一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-152965
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003321
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】 SOI構造の半導体集積回路装置において、動作速度を高速化する。信頼性を向上する。【構成】 SOI構造の半導体集積回路装置において、配線を銅または銅合金で構成する。【効果】 抵抗値が低減されるので、配線の信号伝送遅延は低減される。マイグレーション耐性は向上するので、配線の電流量を大きくすることができる。耐熱温度が向上するので、配線上の絶縁膜の膜質を向上することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁物上に、半導体膜を設け、該半導体膜の主面部に素子を設けた半導体集積回路装置において、前記素子に接続される内部配線を銅または銅合金で構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/46

FI (4件)：

H01L 29/78 311 S ,  H01L 21/88 M ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 29/78 311 G