特許
J-GLOBAL ID：200903062949954294

露光方法ならびにそれを用いたデバイスおよびデバイス製造方法

発明者：
山崎 康生

山崎 康生 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066879
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260705
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 従来方式に比べて同一露光波長でより微細なパターンを形成可能な二重露光方式を応用してこの二重露光方法より複雑なパターンの形成を可能にする。【解決手段】 被露光基板に対して微細周期パターンを露光する第1の露光、前記微細周期パターンと直交する粗周期パターンを露光する第2の露光、および粗パターンを露光する第3の露光を行ない、該被露光基板上に多値的な露光量分布を与え、この多値的な露光量の適切な位置に露光しきい値を設定することにより、前記微細周期パターンの線幅に相当する最小線幅を有する目標パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
被露光基板に対して微細周期パターンを露光する第1の露光、前記微細周期パターンと直交する粗周期パターンを露光する第2の露光、および粗パターンを露光する第3の露光を行ない、該被露光基板上に多値的な露光量分布を与え、この多値的な露光量の適切な位置に露光しきい値を設定することにより、前記微細周期パターンの線幅に相当する最小線幅を有する目標パターンを形成することを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
FI (3件)：
H01L 21/30 514 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 528
Fターム (4件)：
5F046AA13 ,  5F046BA08 ,  5F046DA02 ,  5F046DB01
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 3重露光法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-053970   出願人：株式会社ニコン
  • マスクパターンの投影方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-170435   出願人：村山克彦

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