特許
J-GLOBAL ID：200903062950707136

薄膜トランジスタ集積装置およびその製造方法並びに液晶表示装置

発明者：
升谷 雄一

升谷 雄一 について

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沼野 良典

沼野 良典 について

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小林 和弘

小林 和弘 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304293
公開番号（公開出願番号）：特開平10-142633
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 基板内で均一な強さを有する電界を基板面に対して平行な方向に形成できる薄膜トランジスタ集積装置を得ることにより、基板面に対して平行な方向の電界を液晶に印加する方式を用いると共に、表示ムラがなくかつ高開口率な液晶表示装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板1上にゲート電極2と同時に、基板に対して平行な方向の電界を形成するための各々櫛形形状を有するドレイン側電極3と対向電極4を互いに対向させて形成する。次に全面にゲート絶縁膜5を形成後ドレイン側電極3上のゲート絶縁膜5にコンタクトホール8する。次にゲート電極2上にゲート絶縁膜5を介して半導体層およびソース配線9・ドレイン電極10を形成し、ドレイン側電極3とドレイン電極10をコンタクトホール8を介して接続する。最後に全面に保護膜を形成する。
請求項（抜粋）：
制御電極と同時に基板上に形成され、上記基板面に対して平行方向の電界を形成する第1の電極および第2の電極と、上記制御電極、第1の電極および第2の電極上に形成された絶縁膜と、上記制御電極上に上記絶縁膜を介して形成された半導体層と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する上記第1の電極または第2の電極にいずれか一方が接続される一対の電極を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ集積装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/35 302 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/35 302 ,  H01L 29/78 616 T
引用特許：
審査官引用 (11件)
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