特許
J-GLOBAL ID：200903062952772903
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236338
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082988
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 省スペースで、ショットキーダイオードの低損失化を図る【解決手段】 n / n+ 型半導体基板1 に、上面からみると所定間隔を空けストライプ状に複数の p+ 埋め込み層3 が形成され、これらと一部接合し周を囲むように環状の p+ 層(ガードリング層7 と称す)が形成されている。このガードリング層7 の内側と接触し、且つ n型半導体層1bとショットキー接合するよう、第一の電極5 が形成されている。ガードリング層7 の外周部及びその外側の基板1表面を、絶縁膜4 が覆っているが、この上に第一の電極5 の一部が延在している。そして、基板1 下に第二の電極6 が設けられている。本構造により、チップ面積の増大を抑制した上で、逆方向リーク電流を低減させ、且つ順方向電圧降下を減少できる。
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板に埋め込み形成された複数の第二導電型の埋め込み層と、前記半導体基板の第一の主表面とショットキー接合する第一の電極と、前記複数の埋め込み層を取り囲む様に形成され、各埋め込み層と接合し、且つ前記第一の電極と接触する第二導電型のガードリング層と、前記半導体基板の他方の第二の主表面とオーミック接触する第二の電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/48 F
, H01L 29/46 R
, H01L 29/48 G
