特許

J-GLOBAL ID：200903062954967930

強誘電体ダイオードメモリセル

発明者： 田村 泰孝
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-145862
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014990
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 強誘電体ダイオードメモリセルに関し、情報の不揮発性が得られ、セル構造が単純で大容量化が容易でしかも情報の読み書きがランダムアクセス性をもつメモリセルを提供する。【構成】 互いに交差する複数のビット線3とワード線2の各交差点に強誘電体ダイオード1が接続され、この強誘電体ダイオード1が第1の導電性電極4、第2の導電性電極7、およびこれらの導電性電極4,7の間を満たす中間層によって構成され、この中間層が実質的に2層以上の層5,6からなり、その層の少なくとも1層が強誘電体層5であり、第1の導電性電極4および第2の導電性電極7と中間層5,6の接触の少なくとも1つが整流性を有する構成とし、強誘電体層5の誘電分極によって情報を記憶し、導電性電極4,7の整流性を利用し、ビット線3s と複数のワード線2s に印加する電圧によって特定の強誘電体ダイオード1s を選択する。

請求項（抜粋）：

互いに交差して配置された複数のビット線と複数のワード線の各交差点に強誘電体ダイオードが接続され、該強誘電体ダイオードが第1の導電性電極、第2の導電性電極、および該第1の導電性電極と第2の導電性電極の間を満たす中間層によって構成され、該中間層が実質的に2層以上の層からなり、その層の少なくとも1層が強誘電体であり、第1の導電性電極および第2の導電性電極と中間層の接触の少なくとも1つが整流性を有することを特徴とする強誘電体ダイオードメモリセル。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/36 ,  G11C 14/00 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 39/02 ZAA

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-180261