特許

J-GLOBAL ID：200903062956036390

窒化炭素単結晶膜

発明者： 内海 慶春 ,  今井 貴浩
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 上代 哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036075
公開番号（公開出願番号）：特開平9-227298
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 基板上に結晶性に優れた窒化炭素単結晶膜を形成し、発光素子、高温動作素子、耐環境素子用の半導体として利用する。【解決手段】 サファイア単結晶基板を洗浄し、MOCVD法によりh-aN単結晶膜を成長させ、この基板温度を1000°Cに上昇し、バッファー層上にh-GaN膜を30分間で0.5μm成長させた。さらにこのh-GaN単結晶膜上にスパッタ法によりターゲットにグラファイトを、成膜ガスにAr+N2ガスを用い窒化炭素膜を成長さす。

請求項（抜粋）：

単結晶基板(1)上に中間層として六方晶窒化ガリウム(h-GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、六方晶炭化硅素(h-SiC)、酸化亜鉛(ZnO)、あるいはこれらのなかの2種類以上の物質からなる固溶体の単結晶膜(2)が形成され、前記単結晶膜上に窒化炭素単結晶膜(3)が形成された構造を持ち、前記窒化炭素単結晶膜がβ-Si3N4型またはα-Si3N4型の結晶構造を有し、C3N4なる化学式で示されることを特徴とする窒化炭素単結晶膜。

IPC (6件)：

C30B 29/38 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/36 ,  C30B 29/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

C30B 29/38 Z ,  C23C 14/06 P ,  C23C 16/36 ,  C30B 29/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205