特許

J-GLOBAL ID：200903062956300704

半導体素子

発明者： 小野 秀樹 ,  鈴木 寿一 ,  平 健一 ,  川島 紀之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336787
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156298
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 消費電力が小さく、高速動作および高集積化が可能な半導体素子を提供する。【解決手段】 基板1の上にチャネル層11,スペーサ層12,第1の障壁層13,量子ドット14b,第2の障壁層15,量子ドット16bおよび第3の障壁層17を順次積層し、その上にゲート電極4を形成する。ゲート電極4に光パルスLを照射すると、発生した光電子はショットキー障壁を乗り越えまずゲート電極4に近い量子ドット16bに蓄積され、次いでゲート電極4から遠い量子ドット14bに蓄積される。電子の蓄積効果の大きさはチャネル層11との間の距離により異なるので、電子の蓄積状態に応じてしきい値電圧の変化率は異なる。すなわち、光パルスLの照射回数に対してしきい値電圧は非線形に変化し、多値情報に対応することができる。

請求項（抜粋）：

伝導領域と、この伝導領域との間の距離が異なる2以上の量子ドットと、これら量子ドットの前記伝導領域と反対側の位置に設けられた制御電極とを備えており、この制御電極に入力されるパルス信号の回数に応じて前記量子ドットにおける電荷の蓄積状態が異なることを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/80 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 31/10

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/80 A ,  H01L 31/10 E

Fターム (17件)：

5F049MA14 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049NB10 ,  5F049QA16 ,  5F083FZ04 ,  5F083ZA21 ,  5F102FB07 ,  5F102GA19 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD05 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GQ05 ,  5F102GT02 ,  5F102HC01