特許

J-GLOBAL ID：200903062958663510

MOSトランジスタの閾値電圧設定方法および半導体装置

発明者： ▲高▼村 孝士
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246564
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150885
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 閾値電圧を容易、正確に設定できるようにする。【解決手段】 pMOS18、20は、ソース領域30がp+ ソース領域34とp- からなるLDD領域36とからなり、ドレイン領域32がp+ ドレイン領域とp- からなるLDD領域40とからなっている。そして、pMOS18、20は、LDD領域36、40の対向部にn型導電層からなるハロー層42、44を有している。pMOS18、20は、ハロー層42、44への不純物の注入量が相互に異なっていて、閾値電圧が異なった値に設定してある。

請求項（抜粋）：

ソースおよびドレイン領域のそれぞれに隣接してハロー層を形成するとともに、前記ハロー層への不純物注入量を変えてMOSトランジスタの閾値電圧を調整することを特徴とするMOSトランジスタの閾値電圧設定方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 27/08 102 B