トレンチの形成方法およびそれを用いる半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091845
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288923
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】下地シリコン基板や窒化シリコン膜との選択比に優れ、かつ、垂直になおかつ高速に絶縁膜をエッチングしてトレンチを形成する方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁膜を挟んで積層される下層導電層と上層導電層とを接続するために前記絶縁膜に導電体を充填するためのトレンチをエッチングにより形成する工程を有するトレンチの形成方法において、前記トレンチをエッチングにより形成する工程は、エッチングガスとして、少なくともC4 F8 またはC3 F8 と、CO、Ar及びO2 を使用し、C4 F8 またはC3 F8 の流量が6〜10sccm、CO/Arの流量比が10〜20%、O2 の流量が5〜7sccmで、かつエッチングガスの総流量が350sccm〜400sccm以下でエッチングを行う工程であるトレンチの形成方法。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を挟んで積層される下層導電層と上層導電層とを接続するために前記絶縁膜に導電体を充填するためのトレンチをエッチングにより形成する工程を有するトレンチの形成方法において、前記トレンチをエッチングにより形成する工程は、エッチングガスとして、少なくともC4 F8 またはC3 F8 と、CO、Ar及びO2 を使用し、C4 F8 またはC3 F8 の流量が6〜10sccm、CO/Arの流量比が10〜20%、O2 の流量が5〜7sccmで、かつエッチングガスの総流量が350sccm〜400sccm以下でエッチングを行う工程である、トレンチの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/28 L , H01L 21/90 C

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