特許
J-GLOBAL ID：200903062986726129
成膜装置及びエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-167285
公開番号（公開出願番号）：特開平11-014312
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】本発明は、温度と成膜量とが同時に変化しても、これら温度と成膜量とを正確に測定する。【解決手段】半導体ウエハ4の表面からの放射光を分光器1により波長分解して得られる第1の波長分布データと、光源5をオンしたときに半導体ウエハ4の表面からの反射光を分光器11により波長分解して得られる第2の波長分布データとに基づいてコンピュータ14において半導体ウエハ4の表面からの実際の反射光のみの波長分布データD(λ)を求め、この波長分布データD(λ)と予め定められた波長分布Qとを比較するとともに膜の温度に対する屈折率に基づいて半導体ウエハ4の表面上の膜厚を求める。
請求項（抜粋）：
チャンバ内に配置された被処理体に膜を形成する成膜装置において、前記被処理体に複数又は連続したスペクトル分布を持つ光を照射する光照射手段と、前記被処理体の表面からの放射光又は反射光を波長によって分解する分光器と、前記被処理体の表面からの放射光を前記分光器により波長分解して得られる第1の波長分布データと、前記光照射手段を点灯したときに前記被処理体の表面からの反射光を前記分光器により波長分解して得られる第2の波長分布データとに基づいて前記被処理体の表面からの反射光のみの波長分布データを求め、この波長分布データと予め定められた波長分布とを比較するとともに前記膜の温度に対する屈折率に基づいて前記被処理体表面上の膜厚を求める膜厚演算手段と、を具備したことを特徴とする成膜装置。
IPC (4件)：
G01B 11/06
, G01J 3/28
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
G01B 11/06 G
, G01J 3/28
, H01L 21/205
, H01L 21/302 E
