特許

J-GLOBAL ID：200903062990171085

ドライエッチング方法

発明者： 長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-239888
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082688
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 SixNy膜上でSiOx膜の高選択ドライエッチングを行う。【解決手段】 有磁場マイクロ波プラズマ・エッチャーのベルジャ4の内壁面にSixNyからなるライナ13を配し、さらに該ライナ13とECRプラズマPE との接触面積を可変となす円筒形の昇降式シャッタ14を設ける。C4 F8 ガスを用い、SixNyからなるエッチング停止膜上でSiOx層間絶縁膜に自己整合コンタクト加工を行う場合、まずシャッタ開度0%にてジャストエッチングを行う。次に、シャッタ回度を100%とし、ライナ13からスパッタ放出されるSixNyをウェハW上へ供給しながらオーバーエッチングを行うと、下地選択性が向上する。あるいは、従来のエッチャーであっても、フルオロカーボン系ガスとCOS(硫化カルボニル)との混合ガスを用いれば、高選択化が可能である。

請求項（抜粋）：

窒化シリコン系材料膜に対して選択性を確保しながら酸化シリコン系材料膜をエッチングするドライエッチング方法であって、前記エッチングを、プラズマとの接触により窒化シリコン系化学種を放出可能な内部構成部材を有するエッチング・チャンバ内で行うドライエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 301 Y