不揮発性半導体記憶装置とその過書込み救済方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241394
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153398
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【課題】1回の書き込み動作で閾値電圧が所定値より上昇する過書き込み状態のメモリセルが発生した場合においても、そのメモリセルを救済することが可能な不揮発性半導体記憶装置とその過書き込み救済方法を提供する。【解決手段】過書込みベリファイ時、選択されたメモリセル(MC1〜 MCn) からデータを読み出すと、ビット線の電位はこのデータに応じて変化する。トランジスタ(Q1)をオンとするとビット線(BL1) のデータに応じてラッチ回路(LT)がセットされる。このラッチ回路(LT)の状態により、過書込み状態のメモリセルがある場合、選択されているメモリセルのデータをラッチ回路(LT)にラッチし、1ページ分のデータを消去する。この後、ラッチ回路(LT)にラッチしたデータによって通常の書込み動作を行うことにより、過書込み状態のメモリセルを正常な閾値電圧とすることができる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイが接続されたビット線と、選択された前記メモリセルに書き込むためのデータ、及び前記メモリセルから読み出されたデータをラッチするラッチ回路と、前記ラッチ回路と前記ビット線の間に接続され、複数の前記メモリセルに過書込み状態のメモリセルがある場合、そのメモリセルのデータを読み出して前記ラッチ回路にコピーし、前記メモリセルのデータを消去した後、前記ラッチ回路にコピーされたデータを前記メモリセルに書き込む制御回路とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 510 A , G11C 17/00 309 F , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

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