特許
J-GLOBAL ID：200903062992839288
浮遊帯域溶融単結晶製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212644
公開番号（公開出願番号）：特開平5-032478
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月09日
要約：
【要約】【目的】 アルゴンガスを主雰囲気ガスとしてこれに微量の窒素ガスを混合した雰囲気中で、少なくとも2回の溶融帯域通過を行うFZ法において、中間工程の結果得られた中間体多結晶棒の尾部が、最終工程のために上部が機械的に保持された際、またはその後の工程中にその把持部にクラック発生或いはそれによって破壊し、上記中間体多結晶棒が落下破損しないような充分な強度を有するようにする。【構成】 窒素ガスを含む高純度アルゴンガスをチャンバー内保護ガスとするシリコン半導体浮遊帯域溶融単結晶製造方法において、中間の浮遊帯域溶融工程の終点における原料被溶融棒又は前段階の中間体多結晶棒の再固化部分と未溶融部分との切り離し速度を再固化した中間体多結晶棒の直径に応じて一定値以下に制御して原料被溶融棒又は前段階の中間体多結晶棒の再固化部分と未溶融部分との切り離しを行う。
請求項（抜粋）：
窒素ガスを含む高純度アルゴンガスをチャンバー内保護ガスとするシリコン半導体浮遊帯域溶融単結晶製造方法において、中間の浮遊帯域溶融工程の終点における原料被溶融棒又は前段階の中間体多結晶棒の再固化部分と未溶融部分との切り離し速度を再固化した中間体多結晶棒の直径に応じて一定値以下に制御して原料被溶融棒又は前段階の中間体多結晶棒の再固化部分と未溶融部分との切り離しを行なうことを特徴とする浮遊帯域溶融単結晶製造方法。
IPC (2件)：
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