特許
J-GLOBAL ID：200903062994792963
半導体ウエーハの評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295981
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100829
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 荷電粒子に曝す処理が施された半導体ウエーハのチャージングダメージを簡便に、また高精度で評価できる半導体ウエーハの評価方法を提供する。【解決手段】 荷電粒子に曝す処理が施された半導体ウエーハのチャージングダメージを評価する方法であって、シリコンウエーハ3表面に酸化膜1を形成した後、形成した酸化膜1の一部を除去して開口部を形成し、形成した開口部からシリコンウエーハ3にドーパントを導入、拡散させてシリコンウエーハ3表面にpn接合4を形成し、pn接合4が形成されたシリコンウエーハ3上に多結晶シリコン電極2を形成した後、シリコンウエーハ3表面上に形成した多結晶シリコン電極2に電圧を印加してpn接合4のリーク電流を測定することによりシリコンウエーハ3のチャージングダメージを評価する。
請求項（抜粋）：
荷電粒子に曝す処理が施された半導体ウエーハのチャージングダメージを評価する方法であって、前記半導体ウエーハ表面に酸化膜を形成した後、形成した酸化膜の一部を除去して開口部を形成し、形成した開口部から前記半導体ウエーハにドーパントを導入、拡散させて半導体ウエーハ表面にpn接合を形成し、該pn接合が形成された半導体ウエーハ上に電極を形成する工程を行った後、半導体ウエーハ表面上に形成した電極に電圧を印加して前記pn接合のリーク電流を測定することにより半導体ウエーハのチャージングダメージを評価することを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。
Fターム (5件)：
4M106AA01
, 4M106BA12
, 4M106BA14
, 4M106CA04
, 4M106CB30
