電極基板,薄膜トランジスタ,表示装置、及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004012143
公開番号（公開出願番号）：WO2005-024956
出願日： 2004年08月18日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

本発明は、下部電極をフォトマスクに利用して、絶縁膜上に下部電極と概ね同一パターン形状の撥液領域と概ね反転パターン形状の親液領域を形成して、親液領域内に導電性インクを塗布焼成して、下部電極に対して概ね反転パターン形状の上部電極を自己整合して形成するため、印刷法を用いても位置ずれが発生しない。このため、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ基板などの半導体装置が印刷法を用いて形成できる。

請求項（抜粋）：

基板上に、下部電極、表面に撥液/親液領域を有する絶縁膜、および、上部電極が順次積層された電極基板において、下部電極と絶縁膜表面の撥液領域のパターン形状が概ね一致し、上部電極が、主に絶縁膜表面の撥液領域以外の親液領域上に形成され、そのパターン形状が下部電極のパターン形状を概ね反転した自己整合した形状であることを特徴とする電極基板。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/288 , H01L 21/28 , G02F 1/136 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 51/30

FI (9件)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 627C , H01L29/78 612D , H01L21/288 Z , H01L21/28 A , G02F1/1368 , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L29/28 280

Fターム (55件)：

2H092JA24 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB56 , 2H092KA20 , 2H092KB01 , 2H092MA02 , 2H092MA10 , 2H092MA12 , 2H092MA22 , 2H092MA41 , 2H092NA27 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB36 , 4M104DD02 , 4M104DD21 , 4M104DD51 , 4M104DD62 , 4M104FF11 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA04 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG42 , 5F110GG45 , 5F110NN01 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ11 , 5F110QQ12

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