特許
J-GLOBAL ID：200903062995635624
広ストライプ型半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中井 宏行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-157613
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063289
出願日： 1991年05月31日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】簡易な構成で集光性に優れた広ストライプ型半導体レーザを得る。【構成】広ストライプ型半導体レーザにおいて、中央部の共振器長が両端部より長くなるようにストライプ61に中央突出部61aを形成して、ストライプ61中央部における発振利得を他部分よりも大きくしている。
請求項（抜粋）：
広ストライプ型半導体レーザにおいて、中央部の共振器長が両端部より長くなるように中央突出部をストライプに形成して、ストライプ中央部における発振利得を他部分よりも大きくしたことを特徴とする広ストライプ型半導体レーザ。
引用特許：
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