特許
J-GLOBAL ID：200903062996079776
プラズマ処理装置及び処理方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-074030
公開番号（公開出願番号）：特開平6-287760
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月11日
要約：
【要約】【目的】 13.56MHz以上の放電周波数を用いてもプラズマ密度の均一化や膜厚分布の均一化を行ない、処理速度の向上を計りランニングコストや処理コストの低減、設計期間の短縮を計ること。【構成】 プラズマインピーダンスをZp、カソード電極のインピーダンスをZc、カソード電極を取り囲むアースシールドのインピーダンスをZsh、基板のホルダーのインピーダンスをZaとしたとき、|Zc|/|Zp|≦または|Za|/|Zsh|かつ|Zc|/|Zsh|のいずれか一方を満足するように構成する。
請求項（抜粋）：
減圧可能な反応容器内で、放電周波数が30MHz以上300MHz以下の高周波電力を印加するカソード電極と対向する電極との間にプラズマを発生させ、該電極上に配置した被処理基体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、プラズマインピーダンスZpとカソード電極のインピーダンスZcが|Zc|/|Zp|≦5、またはカソード電極を取り囲むアースシールドのインピーダンスZshと該被処理基体とその基体を保持しているホルダーのインピーダンスZaとカソード電極のインピーダンスZcで|Za|/|Zsh|≦1且つ|Zc|/|Zsh|≦1のいずれか一方を満たすことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/302
, H01L 21/31
