ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩野平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350505
公開番号（公開出願番号）：特開2001-166486
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において高感度且つ0.15μm以下の高解像力を有し、矩形形状を有するレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物、2層レジスト法において酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】式(I)のシリコン含有繰り返し単位と式(II)の特定の構造の繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸分解性ポリマーを含有するポジ型フォトレジスト組成物。【化1】

請求項（抜粋）：

少なくとも一般式(I)で表される繰り返し単位と、一般式(II)で表される繰り返し単位とを含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸分解性ポリマーを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(I)中、Yは水素原子、メチル基、シアノ基又は塩素原子を表す。Lは単結合または2価の連結基を表す。R'、R''及びR'''はそれぞれ独立に直鎖もしくは分岐のアルキル基、フェニル基、トリアルキルシリル基またはトリアルキルシリルオキシ基を表す。【化2】式(II)中、Yは水素原子、メチル基、シアノ基または塩素原子を表す。M1は単結合又はアルキレン基、置換アルキレン基、アリーレン基、置換アリーレン基、エステル基、カルボニル基、アミド基、エーテル基、チオエーテル基、ウレタン基及びウレア基からなる群から選択される単独もしくは2つ以上の基の組み合わせからなる2価の連結基を表す。Qは下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素構造を含む基を表す。【化3】一般式(pI)〜(pVI)中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基またはsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、あるいはR15及びR16のうちの少なくともいずれか一方は脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、または脂環式炭化水素基を表す。但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19及び21のうちの少なくともいずれか一方は炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、または脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、または脂環式炭化水素基を表す。但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。

IPC (3件)：

G03F 7/075 511 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/075 511 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (18件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB34 , 2H025CB41 , 2H025CC03 , 2H025DA29 , 2H025FA17 , 2H025FA41

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