特許

J-GLOBAL ID：200903063001779289

容量素子

発明者： 清水 啓一郎
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-243063
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082733
出願日： 1991年09月24日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 容量値の電圧依存性が極めて小さい容量素子を提供する。【構成】 容量の下層導電層をN+型多結晶シリコン膜12とP+型多結晶シリコン膜13で構成し、上層に容量絶縁膜としてシリコン窒化膜15、上部電極16を配し、容量素子を構成する。下層導電層をN+型多結晶シリコン膜12とP+型多結晶シリコン膜13とすることによって、相反する容量値の電圧依存性を持たせ両者を並列接続することによって互いの電圧依存性を打ち消し、電圧依存性が極めて小さい容量素子を実現する。

請求項（抜粋）：

同一面内に相異なる導電領域を有する下層半導体層と前記下層半導体層上に単層或は積層からなる容量絶縁膜を介して上層導電性薄膜を有し、重なり部分に静電容量を形成することを特徴とする容量素子。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-074867
  
• 特開昭58-111361
  
• 特開平2-240958