特許
J-GLOBAL ID：200903063010919425
ショットキーバリア半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
栗原 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-344714
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174293
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 従来実現されたショットキーダイオードとは特性が全く異なる、自己損失の少ないショットキーバリア半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン半導体層11の表面に当該半導体層と接触してショットキーバリアを形成するショットキーバリア層が設けられているショットキーバリア半導体装置において、前記ショットキーバリア層が、少なくとも前記半導体層との接触面がチタンシリサイド14aからなるチタン層14であり、当該ショットキーバリア層上に窒化チタン層15が形成されている。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体層の表面に当該半導体層と接触してショットキーバリアを形成するショットキーバリア層が設けられているショットキーバリア半導体装置において、前記ショットキーバリア層が、少なくとも前記半導体層との接触面がチタンシリサイドからなるチタン層であり、当該ショットキーバリア層上に窒化チタン層が形成されたことを特徴とするショットキーバリア半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 M
4M104AA01
, 4M104BB25
, 4M104CC03
, 4M104DD37
, 4M104DD79
, 4M104DD80
, 4M104DD84
, 4M104FF18
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH20
