特許
J-GLOBAL ID：200903063011512620
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083970
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291180
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 拡散層、ゲート電極およびサイドウオール形成後に高融点金属を基板に堆積し、熱処理により高融点金属シリサイドを形成する場合、高融点金属シリサイドの膜厚のばらつき及び凹凸を小さくし、さらにCMOSの回路を形成する場合に導電型の異なる拡散層上の高融点金属シリサイドの膜厚をほぼ同一にすることを可能ならしめる。【構成】 拡散層601、ゲート電極401及びサイドウオール501形成後、イオン注入法により高融点金属シリサイド形成予定領域を非晶質化し、その後基板に高融点金属を堆積し、熱処理を施す。熱処理条件は一段階目が600〜700°C、二段目が700〜900°Cとする。二段階の熱処理は未反応の高融点金属ないしは高融点金属702の窒化物を除去する前に行なう。
請求項（抜粋）：
拡散層領域、ゲート電極を形成した後イオン注入法により基板表面を非晶質化し、高融点金属を基板全面に堆積した後の熱処理工程を二段階に分離し、一段階目の熱処理条件を窒化雰囲気中において600から700°Cとし、二段階目の熱処理温度を700から900°Cとし、前記二段階の熱処理工程の後、未反応の高融点金属ないしは高融点金属の窒化物を除去する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 27/092
