特許
J-GLOBAL ID：200903063014219002
バイポーラトランジスタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-184345
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036131
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】 バイポーラトランジスタのベース・コレクタ間容量Cbcを削減し、高速動作を可能とする。【解決手段】 コレタク電極5を取り付ける面を堀り出すときに、ベース電極6の下側までサイドエッチングする。
請求項（抜粋）：
基板上に積層されたコレクタ、ベースおよびエミッタを含む層構造を備え、この層構造は前記コレクタおよび前記ベースのそれぞれ一部が露出するように階段状に形成され、この露出する部分にそれぞれコレクタ電極およびベース電極が設けられたバイポーラトランジタにおいて、前記ベース電極の一部の領域が前記ベースからはみ出すように、前記ベース電極と前記コレクタとの間に空隙が設けられたことを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
