レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-228832
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045820
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】本発明は、大面積基板においても、単結晶に近い結晶性を有する結晶質半導体膜を効率よく形成するためのレーザ照射方法およびその装置を提供することを課題とする。また、前記レーザ照射方法を工程に含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】本明細書で開示するレーザ照射装置に関する発明の構成は、レーザと、照射面におけるレーザ光の照射位置を第1の方向または第1の方向とは逆方向へ移動させる手段1と、前記照射面における前記レーザ光の形状を楕円状または矩形状にする手段2と、少なくとも第2の方向に動くステージとを有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

レーザと、照射面におけるレーザ光の照射位置を第1の方向または第1の方向とは逆方向へ移動させる手段1と、前記照射面における前記レーザ光の形状を楕円状または矩形状にする手段2と、少なくとも第2の方向に動くステージと、を有することを特徴とするレーザ照射装置。

IPC (10件)：

H01L 21/268 , B23K 26/06 , B23K 26/08 , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 21/28 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , G09F 9/00 348 , B23K101:40

FI (10件)：

H01L 21/268 J , B23K 26/06 E , B23K 26/08 B , B23K 26/08 D , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 21/28 F , G09F 9/00 348 C , B23K101:40 , H01L 29/78 627 G

Fターム (125件)：

2H092JA24 , 2H092KA05 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA24 , 2H092NA27 , 4E068CA03 , 4E068CD05 , 4E068CD12 , 4E068CD14 , 4E068CE03 , 4E068CE04 , 4E068DA09 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104CC05 , 4M104DD42 , 4M104DD65 , 4M104FF08 , 4M104FF17 , 4M104GG20 , 5F052AA02 , 5F052AA12 , 5F052AA24 , 5F052BA04 , 5F052BA18 , 5F052BB02 , 5F052BB05 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP24 , 5F110PP34 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435CC09 , 5G435EE37 , 5G435HH13 , 5G435KK05 , 5G435KK10

引用特許：

審査官引用 (6件)

レーザ光照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-000659 出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
レーザ光照射方法及びレーザ光照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-158027 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-124813

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