特許

J-GLOBAL ID：200903063018376510

微細パターンの形成方法

発明者： 竹内 幸一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-162144
公開番号（公開出願番号）：特開2000-347422
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上にシリル化プロセスを介して微細集積化されたレジスト・パターンを効率よく形成することができ、製造過程中に不良パターンを生じた場合には、基板を損傷させずに、効果的に再生・使用ができる微細パターンの形成方法に関するものである。【解決手段】 レジスト層を施した基板上にレジスト・パターンを形成させる方法において、前記レジスト層が、無機質膜又は無機質膜の下地層上に成膜され、且つ前記レジスト・パターンがシリル化プロセスを介して形成され、得られた前記パターンが品質検査工程で不合格と判定された際に、SiOx層、シリル化層及びレジスト層等を有する基板上の無機質膜下地層ごと又は有機質膜下地層ごとを除去して、再生された基板上に、再度、前記方法に基づいて前記微細レジスト・パターンを形成できる微細パターンの形成方法を提供する。

請求項（抜粋）：

被加工膜又は基板上に施されたレジスト層に、レジスト・パターンを形成させるに際して、前記レジスト層が、無機質膜又は有機質膜の下地層上に成膜され、且つ前記レジスト・パターンがシリル化プロセスを介して行われることを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/38 512 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/38 512 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 574

Fターム (17件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025CB17 ,  2H025FA09 ,  2H025FA12 ,  2H025FA20 ,  2H096AA25 ,  2H096BA10 ,  2H096CA14 ,  2H096EA30 ,  2H096FA04 ,  2H096GA37 ,  2H096HA23 ,  2H096LA30 ,  5F046HA07