特許

J-GLOBAL ID：200903063023610180

半導体装置の製造方法

発明者： 山本 一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153786
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003869
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 シリコン窒化膜に適当な条件でイオンを注入することで、生産性よくかつシリコン基板に欠陥を導入することなく窒化膜の応力を低減することを目的とする。【解決手段】 シリコン窒化膜に1E15cm-2以下のドーズ量でイオンを注入し、そのイオンの投影飛程がシリコン窒化膜の膜厚の20〜60%であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン窒化膜にイオン注入されるイオンの投影飛程が該シリコン窒化膜の膜厚の20%乃至60%であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/265 Y ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/94 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-056635
  
• 特開昭55-036935