レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：正林真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-378235
公開番号（公開出願番号）：特開2006-184575
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種液浸露光用液体を用いた液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液浸露光用液体自体の変質を同時に防止し、かつ処理工程数を増加させることなく、レジスト膜の引き置き耐性を向上させることができるレジスト保護膜形成用材料を提供する。【解決手段】下記一般式(1)【化1】(式中、R1は炭素数1〜5の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基であり、R2は、炭素数1〜15の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基または脂環構造を有する炭化水素基である。)で表される構成単位を少なくとも有するアクリル系ポリマーと、溶剤と、を少なくとも含有してレジスト保護膜形成用材料を構成する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

レジスト膜の上層保護膜を形成するための材料であって、下記一般式(1)

IPC (4件)：

G03F 7/11 , C08F 220/10 , G03F 7/039 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/11 501 , C08F220/10 , G03F7/039 601 , H01L21/30 575

Fターム (26件)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025DA02 , 2H025DA03 , 2H025FA03 , 2H025FA17 , 4J100AJ02Q , 4J100AL03T , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100AL29P , 4J100AL31P , 4J100BC04S , 4J100BC12R , 4J100CA03 , 4J100JA38 , 5F046PA19

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開第2004/074937号パンフレット

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