特許

J-GLOBAL ID：200903063030473091

磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果型ヘッド、および情報再生装置

発明者： 野間 賢二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 山田 正紀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-177923
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358381
出願日： 2000年06月14日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】 交換結合磁界Hinが小さく抑えられ大きな再生出力を生ずる磁気抵抗効果膜を提供する。【解決手段】 下地層1、反強磁性層2、固定磁性層3、非磁性中間層4、および自由磁性層5とを含む多層膜であって、固定磁性層が、軟磁性材料からなる第1の軟磁性層3_1および第2の軟磁性層3_3並びにこれらの軟磁性層の間に挟まれるように形成されこれらの軟磁性層の磁化を互いに逆向きに結合する反平行結合中間層3_2からなるものであり、反強磁性層が、Mnを含む規則系の反強磁性材料からなるものであり、反強磁性層の直接の下地となる第2の下地層1_2が、Ru、Os、Re、Tc、Cd、Ti、Zn、Al、Au、Ir、Pd、Pt、Rh、Ag、Nb、Mo、W、V、およびα-Taよりなる群から選択された金属あるいはその選択された金属の元素を含む合金からなるものである。

請求項（抜粋）：

下地層と、該下地層上に形成された反強磁性層と、該反強磁性層によって方向の固定された磁化を有する固定磁性層と、外部磁界に応じて方向の変化する磁化を有する自由磁性層とを含む多層膜であって、該固定磁性層の磁化の方向と該自由磁性層の磁化の方向とのなす角度に応じた抵抗の大きさを示す磁気抵抗効果膜において、前記固定磁性層が、軟磁性材料からなる第1の軟磁性層および第2の軟磁性層並びにこれらの軟磁性層の間に挟まれるように形成されこれらの軟磁性層の磁化を互いに逆向きに結合する反平行結合中間層からなるものであり、前記反強磁性層が、Mnを含む規則系の反強磁性材料からなるものであり、前記下地層が、Ru、Os、Re、Tc、Cd、Ti、Zn、Al、Au、Ir、Pd、Pt、Rh、Ag、Nb、Mo、W、V、およびα-Taよりなる群から選択された金属あるいは該選択された金属の元素を含む合金からなるものであることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/10 ,  H01F 10/26

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/10 ,  H01F 10/26 ,  G01R 33/06 R

Fターム (16件)：

2G017AA01 ,  2G017AC00 ,  2G017AD54 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA21 ,  5D034CA08 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049CC01 ,  5E049DB12