特許
J-GLOBAL ID：200903063030670393
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035637
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233691
出願日： 1998年02月18日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 樹脂止め枠に対し、さらに樹脂止め枠の形成時の装置精度も含め、断面電極を樹脂止め枠より絶縁基板外周側に形成する必要があり、絶縁基板のサイズが大きくなり、小型化・高密度化が困難になる。【解決手段】 半導体素子2を導電性ペースト3を介して絶縁基板1に搭載し、その後、金属線4等により、半導体素子2の電極と絶縁基板1に形成された外部電極となる断面電極9に繋がる導電路5とを電気的に接続する。その後、エポキシ樹脂等の半導体封止樹脂7により、半導体素子2を封止する。封止樹脂7の硬化に至るまでに樹脂の粘性が低く絶縁基板1の外周方向へ流れ出すが、絶縁基板1の半導体素子搭載面のみにシート状レジスト6を用いて、断面電極が形成されている貫通孔12の絶縁基板表面における開口部を覆っているので、断面電極9側面に封止樹脂7が流れ込まず、硬化が完了となる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の側面に、半導体素子搭載面から該半導体素子搭載面と反対の裏面にかけて一体となった溝部が複数形成されており、上記絶縁基板の表面及び裏面を含む該溝部表面に導体膜が形成されおり、該導電体膜から成る電極と上記半導体素子とが電気的に接続され、樹脂封止された半導体装置において、上記半導体素子搭載面の上記溝部端を覆うように、上記半導体素子搭載面上にシート状絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/28 C
, H01L 23/12 L
