特許

J-GLOBAL ID：200903063032352593

半球状シリカ微粒子の製造方法および半球状シリカ微粒子

発明者： 岡本 直樹
出願人/特許権者： 宇部日東化成株式会社
代理人 (1件)： 中村 静男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-290522
公開番号（公開出願番号）：特開2002-097012
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウェーハなどの半導体基板やメモリーハードディスク用基板などの鏡面研磨処理における研磨剤などとして好適な半球状シリカ微粒子の製造方法、および上記用途に用いられる半球状シリカ微粒子を提供する。【解決手段】 平均粒子径1〜20μmの球状ポリオルガノシロキサン粒子を、酸素の存在下にその中に含まれる有機基の熱分解温度以上の温度で焼成処理することにより、熱分解および酸化させると共に、半球状に分裂させる方法、および球状ポリオルガノシロキサン粒子の焼成により、該粒子のほぼ中央部より分裂してなる半球状シリカ微粒子であって、平均直径が1〜18μmで、かつ窒素吸着比表面積が0.1〜5m2/gである半球状シリカ微粒子。

請求項（抜粋）：

平均粒子径1〜20μmの球状ポリオルガノシロキサン粒子を、酸素の存在下にその中に含まれる有機基の熱分解温度以上の温度で焼成処理することにより、熱分解および酸化させると共に、半球状に分裂させることを特徴とする半球状シリカ微粒子の製造方法。

IPC (5件)：

C01B 33/12 ,  C01B 33/18 ,  C09C 1/28 ,  C09K 3/14 550 ,  H01L 21/304 622

FI (5件)：

C01B 33/12 Z ,  C01B 33/18 ,  C09C 1/28 ,  C09K 3/14 550 D ,  H01L 21/304 622 B

Fターム (27件)：

4G072AA25 ,  4G072BB07 ,  4G072BB20 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH28 ,  4G072HH30 ,  4G072MM01 ,  4G072MM36 ,  4G072PP17 ,  4G072RR01 ,  4G072RR03 ,  4G072RR13 ,  4G072TT01 ,  4G072TT05 ,  4G072UU01 ,  4G072UU30 ,  4J037AA18 ,  4J037DD05 ,  4J037DD07 ,  4J037EE15 ,  4J037EE19 ,  4J037EE26 ,  4J037EE47 ,  4J037FF30