特許

J-GLOBAL ID：200903063032705844

半導体装置の製造方法

発明者： 前田 喜世彦
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-400843
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197548
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 高温クリーニング時においても、炉口部金属部品の温度上昇を回避して、炉口部金属部品に腐食が生じないようにする。【解決手段】 半導体装置の製造方法を実施する半導体製造装置の反応炉10は、縦型反応管9とヒータ1とヒータ下方に設けられ反応管9を支える金属製の炉口フランジ6から構成される。半導体装置の製造方法は、反応炉10内ので複数枚のウェーハWをボート4により保持した状態でウェーハW上に膜を形成する成膜工程と、反応炉10内に堆積した膜を、フッ素系ガス(NF3、ClF3)を用いて除去するクリーニング工程とを有する。クリーニング工程は、600°C未満の温度で行なうときは、ボート4を付けたままで行なう。600°C以上の高温で行なうときは、炉口キャップ8よりボート4を取り外した状態で行う。このとき、炉口キャップ8上にヒータ1からの輻射を反射させる炉口部反射断熱部材20を取り付けるとよい。

請求項（抜粋）：

縦型の反応管と、前記反応管内を加熱するヒータと、前記ヒータの下方に設けられ前記反応管を支える金属製の炉口フランジとから構成される縦型の反応炉を備え、複数枚の基板を保持したボートを前記反応炉内に挿入し、前記ボートを設置した炉口キャップで前記反応炉の炉口を塞いだ状態で前記基板の上に膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程で前記反応炉内に堆積した膜をフッ素系ガスを用いて除去するクリーニング工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程は、前記炉口キャップより前記ボートを取り外した状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/22 511

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/22 501 K ,  H01L 21/22 511 Q

Fターム (11件)：

4K030BA40 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA22 ,  5F045AB33 ,  5F045DP19 ,  5F045EB06