結晶成長方法、及びそれにより得られる結晶を用いた機能素子ディバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-178011
公開番号（公開出願番号）：特開2001-353402
出願日： 2000年06月14日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】【課題】室温で液体の通常の溶媒には溶けず、融解温度あるいは気化温度で分解しやすい物質についても、結晶の融点や沸点よりもはるかに低音で成長させることができ、良質で大きな結晶を製造できる結晶成長方法、及びそれにより得られる結晶を用いた機能素子ディバイスを提供すること。【解決手段】室温において固体で目的結晶より融点が低い溶融溶媒を加熱して結晶原料を溶解させて溶液を調製した後、前記溶液中の目的結晶成分を過飽和にして、目的結晶を成長させる初期結晶成長工程と、溶液中の目的結晶成分を過飽和にした後、溶液の目的結晶成分を飽和に満たない状態にし、再び溶液の目的結晶成分を過飽和して、成長結晶を再成長させる再結晶成長工程とを有し、再結晶成長工程を1回乃至複数回行う結晶成長方法、及びそれにより得られる結晶を用いた機能素子ディバイスである。

請求項（抜粋）：

室温において固体で目的結晶より融点が低い溶融溶媒を用い、結晶原料とともに成長容器に充填し、これを加熱して溶融した前記溶融溶媒に前記結晶原料を溶解させて溶液を調製した後、前記溶液中の目的結晶成分を過飽和にして、前記目的結晶を成長させる初期結晶成長工程と、前記溶液中の目的結晶成分を過飽和にした後、前記溶液の目的結晶成分を飽和に満たない状態にし、再び前記溶液の目的結晶成分を過飽和にして、前記成長結晶を再成長させる結晶再成長工程と、を有し、前記結晶再成長工程を、1回乃至複数回行うことを特徴とする結晶成長方法。

IPC (14件)：

B01D 9/02 604 , B01D 9/02 601 , B01D 9/02 602 , B01D 9/02 608 , B01D 9/02 611 , B01D 9/02 618 , B01D 9/02 620 , B01D 9/02 625 , B01D 9/02 , C09B 67/48 , C09B 67/50 , C30B 9/08 , C30B 29/54 , C07D487/22

FI (14件)：

B01D 9/02 604 , B01D 9/02 601 H , B01D 9/02 602 Z , B01D 9/02 608 A , B01D 9/02 611 A , B01D 9/02 618 A , B01D 9/02 620 , B01D 9/02 625 A , B01D 9/02 625 Z , C09B 67/48 Z , C09B 67/50 Z , C30B 9/08 , C30B 29/54 , C07D487/22

Fターム (4件)：

4C050PA14 , 4G077AA02 , 4G077BF10 , 4G077CD04

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