特許
J-GLOBAL ID:200903063035155276
窒化ケイ素焼結体及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 正緒
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-083552
公開番号(公開出願番号):特開2000-272968
出願日: 1999年03月26日
公開日(公表日): 2000年10月03日
要約:
【要約】【課題】 電子部品材料等として好適な高熱伝導性の窒化ケイ素焼結体、及びその生産性に優れた製造方法を提供する。【解決手段】 窒化ケイ素以外の第一成分として希土類元素の少なくとも1種、第二成分としてアルカリ土類元素、Li、Srの少なくとも1種を含み、酸化物に換算したモル比率で第一成分が0.95〜7.7モル%及び第二成分が0.49〜4.7モル%であって、第一成分の濃度は中心部イより表面部ロが相対的に高く、第二成分の濃度は表面部ロより中心部イが相対的に高い。特に開気孔率が5%以下で且つ熱伝導率が100W/m・K以上であり、4点曲げ強度が700MPa以上の焼結体が得られる。
請求項(抜粋):
窒化ケイ素を主成分とし、それ以外の第一成分として希土類元素の少なくとも1種、及び第二成分としてアルカリ土類元素及びLi、Srからなる群から選ばれた少なくとも1種を含み、前記第一成分の酸化物に換算したモル比率が0.95〜7.7モル%、前記第二成分の酸化物に換算したモル比率が0.49〜4.7モル%であって、第一成分の濃度は中心部より表面部が相対的に高く、且つ第二成分の濃度は表面部より中心部が相対的に高いことを特徴とする窒化ケイ素焼結体。
IPC (2件):
FI (4件):
C04B 35/58 102 C
, C04B 35/64 C
, C04B 35/64 A
, C04B 35/64 L
Fターム (27件):
4G001BA01
, 4G001BA05
, 4G001BA06
, 4G001BA08
, 4G001BA09
, 4G001BA32
, 4G001BA62
, 4G001BA81
, 4G001BB01
, 4G001BB05
, 4G001BB06
, 4G001BB07
, 4G001BB08
, 4G001BB09
, 4G001BB32
, 4G001BC12
, 4G001BC13
, 4G001BC46
, 4G001BC48
, 4G001BC52
, 4G001BC54
, 4G001BC57
, 4G001BD03
, 4G001BD14
, 4G001BD23
, 4G001BE15
, 4G001BE33
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